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北京交通大學TALD原子層沉積鍍膜設備通過驗收

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北京維意真空技術應用有限責任公司

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北京交通大學TALD原子層沉積鍍膜設備通過驗收

【摘要】:
2015年10月30日,北京維意真空技術應用有限責任公司完成了向北京交通大學交付TALD原子層沉積鍍膜設備的工作?! ALD原子層沉積系統是專門為科研和工業小型化量產用戶而設計的多片沉積系統。該系統電氣完全符合CE標準,廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域?! 〈舜谓桓兜腡ALD原子層沉積鍍膜設備是全套聯合自主研發的產品:  1、控制部分采用PC機遠程控制,PLC和觸摸屏本地操

  2015年10月30日,北京維意真空技術應用有限責任公司完成了向北京交通大學交付TALD原子層沉積鍍膜設備的工作。

  TALD原子層沉積系統是專門為科研和工業小型化量產用戶而設計的多片沉積系統。該系統電氣完全符合CE標準,廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

  此次交付的TALD原子層沉積鍍膜設備是全套聯合自主研發的產品:

  1、控制部分采用PC機遠程控制,PLC和觸摸屏本地操控,真正的實現了系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體;

  2、反應腔室、設備管路、前驅體源瓶均采用316L不銹鋼制作完成;

  3、可實現存儲容性電介質,銅互連中高深寬比擴散阻擋層,OLED無針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結構鍍膜,特種光纖摻雜,太陽能電池,平板顯示器,光學薄膜,其它各類特殊結構納米薄膜。

  可達到的技術指標:

  1、基片尺寸 6英寸;

  2、基片加熱溫度 室溫~300℃;

  3、前驅體源路數 標準3路前驅體管路,1路吹掃管路;

  4、前驅體管路溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃;

  5、源瓶加熱溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃;

  6、ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥;

  7、本底真空 <5x10-1Pa,進口防腐泵;

  8、載氣系統 N2;

  9、生長模式 連續和停留沉積模式任意選擇;

  10、控制系統 本地PLC+觸摸屏,遠程PC機;

  11、電源 50-60Hz,220V/20A交流電源

  12、沉積非均勻性 非均勻性<±1%

  13、設備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm

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